术语表

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晶圆：非常纯净的圆形晶体硅薄片称为晶圆，芯片在其上制造。较大的晶圆降低了芯片生产过程中的成本，但每一代新晶圆都需要极高的投资，主要投资新设备。目前，8英寸和12英寸晶圆最为普遍。

晶圆台：即晶圆所在的平台，晶圆台在步进光刻机曝光的过程中，可以非常精确地移动和定位晶圆。

掩模：具有决定芯片图案透明度的不透明板。

接触式掩模：带有几百个真实大小和相同芯片图案的玻璃基板，用作晶圆一次光刻的掩模。步进光刻机出现后，这项技术就过时了。

主掩模：芯片图案尺寸为2英寸×2英寸。在20世纪60年代和70年代，这种图案以不到实际大小的1/100投射到接触式掩模上。

分步重复曝光光刻机：可以在两英寸的方形主掩模上实现缩小的芯片图案，并逐个将数百个副本闪光到接触式掩模上。

步进光刻机：可缩小一步步移动并图案，然后把光投射到覆盖在晶圆上的光刻胶。

扫描光刻机：扫描光刻机是最新一代光刻机，其中晶圆台在镜头下移动，一条光束以扫描运动的方式曝光光刻胶，掩模同时穿过镜头上方的光束。与步进光刻机相比，扫描光刻机可以曝光更大的芯片区域。为了实现所需的精度，特别是对准精度，晶圆台和掩模台必须以极高的精度移动。

光刻胶：一种对光敏感的材料，可以对穿过掩模的光产生反应。

数值孔径（ NA）：表示镜头质量的特征数。NA越高越好。

光图机：通过光书写图案来创建主掩模的光电图案生成器。与连续源闪光灯系统相比，光图机可以处理8英寸×8英寸的照相玻璃板。光图机的底座和桌台被赫尔曼·范希克利用开发了第一台步进光刻机。这也是Natlab能够在几年内完成第一台步进光刻机的原因之一。

超净室：即无灰尘的空间，是制造芯片的基础环境。

DRAM ：动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），这种存储器断电后会丢失数据。它是计算机和数据中心的基础组成部分，DRAM制造商，如Micron和三星，是ASML的核心客户。

闪存：这类存储芯片在断电后数据不会丢失。闪存芯片是摩尔定律的典型代表，拥有最小的细节并且是最常见的芯片种类之一。闪存芯片制造商也是ASML的主要客户。Foundry芯片代工厂这类芯片制造商不自己设计，只代工别人设计的芯片。这也是ASML服务的市场之一，台积电则是ASML最大的客户。

H 型晶圆台：H型晶圆台是一个电动驱动系统，其3台直线电动机组成的形状类似于字母H，因此可以在和方向移动晶圆并稍加旋转。H型晶圆台的垂直杆的位置之间的微小差异会导致连接杆旋转。

摩尔定律：定义了芯片生产技术的进步趋势，以英特尔的联合创始人戈登·摩尔命名。更详细的解释请参阅附录6。

LSI ：大规模集成电路（Large Scale Integration）：以20世纪70年代末和80年代初的芯片命名，细节大于1微米。

VLSI ：超大规模集成电路（Very Large Scale Integration），是于20世纪80年代后半叶出现的且细节小于1微米的芯片的代称。

PAS （如 PAS 2500 和 PAS 5500 ）：是Philips Automatic Stepper的缩写，ASML后来称其是Pre-Alignment Stepper的缩写。

套刻精度：是指芯片的各层是否准确套刻在一起，目前误差在几纳米左右。如果各层不能被正确排列，芯片将无法正常工作。

Megachip 项目：也被称为Mega项目。欧洲努力在内存芯片市场超越日本，飞利浦和西门子投资超过10亿美元，并获得了政府约2.5亿美元的补贴。为了制造0.7微米的芯片，该项目的一个目标是让蔡司为ASML开发i线光刻机镜头。XBMS ：综合业务管理系统（由施乐公司提供），ASML于1984年和1985年采用该系统。公司打算让XBMS在IT级别集成其材料组成的所有部分。

ASIC ：专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit）。和通用芯片，如微处理器和存储芯片不同，ASIC芯片的功能是提前设定好的。

欧罗巴透镜：蔡司用来开发Megachip项目的i线镜头（Europa lens），欧洲共同体为这个项目提供了可观的资金。

准分子激光：DUV扫描光刻机的光源。

g 线：水银蒸气灯光谱中峰值为435.8纳米。

h 线：汞蒸气灯光谱中峰值为404.7纳米。

i 线：汞光谱中峰值为365纳米。在20世纪90年代引入激光之前，汞蒸气灯被用作步进光刻机中的光源。i线继承了g线，是最后一条可使用的汞光谱线，也是最后一个非激光光源。

双对准：对准时基于晶圆和掩模上各自的参考标记。

193 纳米：电磁光谱中超紫外端的一个波长，是目前用于生产最先进的芯片的标准，它的上一代是248纳米。参考DUV和Immersion（浸入式）条目。

DUV ：深紫外光，一种光的波长。准分子激光器在芯片生产中用于产生DUV激光，248纳米（氪氟化物激光）和193纳米（氟化氩激光）是最常见的波长。

SMIF 箱：采用标准机械接口（SMIF）的隔离技术，在晶圆厂中将晶圆从一台机器运送到另一台机器，使其无污染。也称为SMIF盒。

蒙版：保护掩模的一层膜。任何落在这层膜上的纳米级碎片都足够远，以至于不会被光刻成像。

EBPG ：电子束掩模制作机（Electron Beam Pattern Generator），用电子束直接写在基板上。

全局对准：步进光刻机通过单次测量来确定晶圆的位置，然后以一系列移动步骤“盲”曝光整个晶圆。全局对准技术显著地提高了吞吐量。